STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET, 58 A, 650 V Enhancement Mode, 4-Pin PG-TO-247

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB303.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB324.41

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB303.19
10 - 49THB293.95
50 - 99THB285.26
100 +THB245.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
800-466
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STW65N040M9-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

STH285N10F8-6AG

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

37mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

321W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.1mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Length

15.9mm

Width

5.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area.

Very low FOM (RDS(on)·Qg)

Higher dv/dt capability

Excellent switching performance

Easy to drive

100% avalanche tested

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง