Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB5.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB5.94
25 - 99THB3.96
100 - 499THB2.97
500 +THB1.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-213
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2302HDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.71W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง