Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 85 A, 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB24.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB24.75
25 - 99THB16.34
100 +THB8.42

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-237
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISF12EDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง