Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB7.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7.95

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB7.43
25 - 99THB4.95
100 +THB2.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-214
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2318HDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.051Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง