Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 735-214
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2318HDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB7.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB7.43 |
| 25 - 99 | THB4.95 |
| 100 + | THB2.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-214
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2318HDS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.051Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.051Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH602E-T1-GE3
- Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3
- Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin 1206-8 ChipFET SI5908BDC-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
