N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA14DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 165-6980
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA14DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA14DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)**

THB8.742

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9.354

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

3000 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB8.742	THB26,226.00
6000 - 9000	THB8.479	THB25,437.00
12000 +	THB8.225	THB24,675.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-6980
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRA14DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	58 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	8.5 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	31.2 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	5.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs	19.4 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Length	6.25mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm

N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA14DP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง