P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISS27DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1323
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS27DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISS27DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB24.732

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26.463

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

4780 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 740	THB24.732	THB494.64
760 - 1480	THB24.114	THB482.28
1500 +	THB23.743	THB474.86

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1323
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS27DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	9 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	57 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	92 nC @ 10 V
Width	3.3mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.3mm
Height	0.78mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SISS27DN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง