Vishay SISS5208DN N-Channel Single MOSFETs, 172 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5208DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 653-148
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS5208DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB77,382.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,800.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB25.794 | THB77,382.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
ตัวเลือก
สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ
1 Tape of 1
THB47.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
- RS Stock No.:
- 653-148
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS5208DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 172A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SISS5208DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0013Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 830μm | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 172A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SISS5208DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0013Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 830μm | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SISS5208DN Series Single MOSFETs, 56.8W Maximum Power Dissipation, 20V Maximum Drain Source Voltage - SISS5208DN-T1-GE3
Features and Benefits:
• High continuous drain current 172A supports heavy loads
• Low forward voltage 1.1V improves efficiency under load
• Gate charge 24.6nC enables controlled switching speed
• Maximum power dissipation 56.8W manages elevated thermal stress
• Gate-source withstand 8V permits robust drive margin
Applications
• Ideal for high-current motor driver outputs
• Used with server power distribution circuits
• Can be used for battery protection and management
• Suitable for telecom rectifier and power-supply rails
What voltage stress can it withstand between drain and source?
How does the device behave in extreme temperatures?
What mounting style is required for assembly?
How many electrical connections does it provide?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS5208DN N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5812DN N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA18DDP N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA12DDP N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA10DDP N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4406DP N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

