Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs, 172 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-149
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS5208DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB41.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44.06
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 5,950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB41.18 |
| 25 - 99 | THB40.04 |
| 100 - 499 | THB38.90 |
| 500 - 999 | THB33.17 |
| 1000 + | THB31.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-149
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS5208DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 172A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SISS5208DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0013Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.83mm | |
| Width | 3.40mm | |
| Length | 3.40mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 172A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SISS5208DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0013Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.83mm | ||
Width 3.40mm | ||
Length 3.40mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SISS5208DN Series Single MOSFETs, 56.8W Maximum Power Dissipation, 20V Maximum Drain Source Voltage - SISS5208DN-T1-GE3
This single MOSFETs device is an N-channel enhancement transistor designed for high-current switching in compact surface-mount applications. It operates across a wide temperature range and is intended for situations requiring low conduction losses and rapid gate-driven switching. The package supports mounting on PCB land patterns where thermal and electrical performance are priorities.
Features and Benefits:
• Very low on-resistance 0.0013Ω reduces conduction losses
• High continuous drain current 172A supports heavy loads
• Low forward voltage 1.1V improves efficiency under load
• Gate charge 24.6nC enables controlled switching speed
• Maximum power dissipation 56.8W manages elevated thermal stress
• Gate-source withstand 8V permits robust drive margin
• High continuous drain current 172A supports heavy loads
• Low forward voltage 1.1V improves efficiency under load
• Gate charge 24.6nC enables controlled switching speed
• Maximum power dissipation 56.8W manages elevated thermal stress
• Gate-source withstand 8V permits robust drive margin
Applications
• Suitable for synchronous buck converter power stages
• Ideal for high-current motor driver outputs
• Used with server power distribution circuits
• Can be used for battery protection and management
• Suitable for telecom rectifier and power-supply rails
• Ideal for high-current motor driver outputs
• Used with server power distribution circuits
• Can be used for battery protection and management
• Suitable for telecom rectifier and power-supply rails
What voltage stress can it withstand between drain and source?
It is rated to tolerate up to 20V between drain and source under normal conditions.
How does the device behave in extreme temperatures?
It is specified to operate from -55°C up to 150°C, allowing it to function across typical industrial temperature ranges.
What mounting style is required for assembly?
It is supplied in a PowerPAK surface-mount package, intended for PCB solder attachment using standard reflow processes.
How many electrical connections does it provide?
The device has an eight-pin configuration to facilitate power and gate connections while optimising thermal paths.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5208DN-T1-GE3
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
