Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-113
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS5712DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB49.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB52.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB49.07 |
| 25 - 99 | THB47.57 |
| 100 - 499 | THB46.83 |
| 500 - 999 | THB39.41 |
| 1000 + | THB37.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-113
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS5712DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIS5712DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0555Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.30mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Standards/Approvals | Lead (Pb)-Free | |
| Width | 3.30mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIS5712DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0555Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.30mm | ||
Height 1.04mm | ||
Standards/Approvals Lead (Pb)-Free | ||
Width 3.30mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIS5712DN Series Single MOSFETs, 150V Maximum Drain Source Voltage, 18A Maximum Continuous Drain Current - SIS5712DN-T1-GE3
This single MOSFET device is a surface-mount N-channel transistor intended for high-voltage switching and power-management roles in industrial electronics. It operates over a wide thermal range suitable for demanding environments and is provided in a compact PowerPAK package for space-conscious board layouts. The device is lead-free and offers enhancement-mode switching performance for conventional gate-driven applications.
Features and Benefits:
• 150V drain tolerance enables high-voltage switching
• 18A continuous drain current supports heavy loads
• 0.0555Ω Rds(on) reduces conduction losses
• 39.1W power dissipation permits high-power handling
• 5.8nC gate charge allows fast gate transitions
• 20V gate rating ensures robust gate-drive headroom
• 18A continuous drain current supports heavy loads
• 0.0555Ω Rds(on) reduces conduction losses
• 39.1W power dissipation permits high-power handling
• 5.8nC gate charge allows fast gate transitions
• 20V gate rating ensures robust gate-drive headroom
Applications
• Suitable for industrial motor-drive stages
• Used for switch-mode power supply primary switches
• Ideal for server and telecom power distribution
• Can be used for battery management and converters
• Used with high-voltage lighting and inverter circuits
• Used for switch-mode power supply primary switches
• Ideal for server and telecom power distribution
• Can be used for battery management and converters
• Used with high-voltage lighting and inverter circuits
What thermal range can it withstand during operation?
It is rated to function from -55°C up to 150°C, accommodating extreme ambient and junction temperatures.
How does the gate specification affect driver selection?
The 20V maximum gate-source rating defines the maximum permissible gate-drive amplitude and informs driver voltage margins to avoid overstress.
What electrical characteristic governs switching losses during transitions?
The typical gate charge of 5.8nC influences the required drive energy and switching speed, affecting switching-loss calculations.
How does the device package assist PCB assembly?
The PowerPAK surface-mount format supports automated placement and soldering while enabling efficient thermal coupling to the PCB copper.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS5712DN-T1-GE3
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5712DP-T1-GE3
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA18DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA14DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
