Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB32.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB34.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB32.68
25 - 99THB31.68
100 - 499THB31.19
500 - 999THB26.24
1000 +THB24.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-113
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIS5712DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SIS5712DN

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0555Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

39.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.04mm

Length

3.30mm

Standards/Approvals

Lead (Pb)-Free

Width

3.30 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง