Vishay SIR4406DP Type N-Channel Single MOSFETs, 78 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-108
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4406DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB23.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB24.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB23.27 |
| 25 - 99 | THB22.77 |
| 100 - 499 | THB22.28 |
| 500 - 999 | THB18.81 |
| 1000 + | THB17.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-108
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4406DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 78A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIR4406DP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00475Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 41.6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.04mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 78A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIR4406DP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00475Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 41.6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.9nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.04mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low gate charge (Qg), optimized switching characteristics, and excellent thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIR4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4406DP-T1-GE3
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIJ4406DP-T1-GE3
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK