STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB369.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB395.49

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB369.62
10 - 49THB299.41
50 - 99THB229.19
100 +THB203.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
481-132
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STHU60N046DM9AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HU3PAK

Series

STHU60

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

N-Channel

Width

14.1 mm

Height

3.6mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

11.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is based on Advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features very low RDS(on) per area and an integrated fast-recovery diode. The DM9 technology uses a multi-drain manufacturing process to enhance device structure and performance. With low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this fast-switching MOSFET is Ideal for high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Low gate charge and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

AEC-Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง