STMicroelectronics STH Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- RS Stock No.:
- 240-0608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU32N65DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*
THB176,050.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB188,373.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 600 - 600 | THB293.417 | THB176,050.20 |
| 1200 - 1200 | THB292.957 | THB175,774.20 |
| 1800 + | THB292.498 | THB175,498.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-0608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU32N65DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | STH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series STH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals UL | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
AEC-Q101 qualified
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) x area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STH Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU32N65DM6AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG
- STMicroelectronics SCT060HU Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics STHU36N Type N-Channel MOSFET 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU36N60DM6AG