STMicroelectronics SCT060HU N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- RS Stock No.:
- 152-111
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT060HU75G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
- RS Stock No.:
- 152-111
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT060HU75G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Series | SCT060HU | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 58mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 3.6mm | |
| Length | 14.1mm | |
| Width | 19mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Series SCT060HU | ||
Package Type HU3PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 58mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 3.6mm | ||
Length 14.1mm | ||
Width 19mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics STH N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG
- STMicroelectronics STH N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU32N65DM6AG
- STMicroelectronics Sct N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
