STMicroelectronics SCT060HU Type N-Channel MOSFET, 30 A, 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- RS Stock No.:
- 152-111
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT060HU75G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB632.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB676.53
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB632.27 |
| 10 - 99 | THB569.15 |
| 100 + | THB524.67 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 152-111
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT060HU75G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | SCT060HU | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 58mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 3.6mm | |
| Length | 14.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series SCT060HU | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 58mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 3.6mm | ||
Length 14.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R040M1HXTMA1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4026DW7HRTL
- ROHM Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT4026 Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4026DWAHRTL
- ROHM Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4045DW7TL
- ROHM Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4026DW7TL
- ROHM Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT4045DW7HRTL