STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*

THB125,622.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB134,418.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
600 +THB209.37THB125,622.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
481-130
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STHU60N046DM9AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HU3PAK

Series

STHU60

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

N-Channel

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

14.1 mm

Height

3.6mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

11.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is based on Advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features very low RDS(on) per area and an integrated fast-recovery diode. The DM9 technology uses a multi-drain manufacturing process to enhance device structure and performance. With low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this fast-switching MOSFET is Ideal for high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Low gate charge and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

AEC-Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง