Infineon Type N-Channel MOSFET, 155 A, 2000 V Enhancement FF5MR20KM1HPHPSA1
- RS Stock No.:
- 349-319
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB32,066.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,310.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB32,066.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-319
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 155A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 2000V | |
| Mount Type | Screw | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 6.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | 60068, IEC 60747, 60749 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 155A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V | ||
Mount Type Screw | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 6.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals 60068, IEC 60747, 60749 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
The Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V, 3.5 mΩ G1 in the well known 62mm housing design with M1H chip technology and pre-applied Thermal Interface Material.
High current density
Low switching losses
Superior gate oxide reliability
Robust integrated body diode
High cosmic ray robustness
High speed switching module
Symmetrical module design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement FF5MR20KM1HHPSA1
- Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R075M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R100M1HXKSA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 155 A HSOF
