Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 26 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R100M1HXKSA1

RS Stock No.:: 349-114
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMYH200R100M1HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 26 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R100M1HXKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB983.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,052.54

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 71 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB983.68
10 - 99	THB885.21
100 +	THB816.43

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-114
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IMYH200R100M1HXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	2000V
	Series	CoolSiC
	Package Type	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	142mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	217W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	55nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V
	Series CoolSiC
	Package Type PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 142mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 217W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IMYH200R100M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC Series MOSFET, 2000V Drain Source Voltage, 26A Continuous Drain Current - IMYH200R100M1HXKSA1

This MOSFET is a silicon carbide N-channel enhancement device designed for high-voltage switching in demanding electronic systems. It provides a robust solution for converting or controlling large voltages and currents in through-hole implementations, operating across an extended ambient temperature range for use in harsh environments.

Features and Benefits:

• 2000V drain-to-source withstand simplifies high-voltage designs
• 26A continuous drain current supports sustained power delivery
• 217W maximum power dissipation aids thermal margin planning
• 142 mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 55 nC typical gate charge enables manageable drive energy
• Through-hole PG-TO-247-4-PLUS-NT14 package eases mounting and cooling

Applications

• Suitable for high-voltage power converters and inverters
• Ideal for industrial motor drive power stages
• Used with energy storage and grid-tie interface circuits
• Can be used for high-voltage test and measurement equipment
• Appropriate for traction and heavy-duty power electronics modules

What voltage and polarity rating should designers expect for switching?

The device is rated to withstand 2000V between drain and source and is configured as an N-channel transistor, so designs must account for high-voltage clearance and appropriate gate-drive referencing.

How does gate-drive energy influence gate driver selection?

With a typical gate charge of 55 nC, gate drivers should be chosen to supply sufficient peak current to achieve the required switching speed while controlling dv/dt to limit electromagnetic stress.

What thermal considerations are necessary for reliable operation?

The component dissipates up to 217W under specified conditions, so thermal management including heatsinking and PCB thermal conductance must be engineered to maintain junction temperatures within limits.

Which mounting approach does the package support and what are the implications?

The PG-TO-247-4-PLUS-NT14 through-hole format facilitates mechanical stability and direct heatsink attachment, simplifying assembly for high-power applications.