Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB99,482.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB106,445.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 +THB3,316.067THB99,482.01

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
284-862
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMYH200R024M1HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

89A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Series

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Package Type

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

137nC

Maximum Power Dissipation Pd

576W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET represents a cutting edge solution designed for high performance applications. Engineered with Advanced .XT interconnection technology, it ensures optimal thermal management and efficiency, making it Ideal for demanding environments. With a robust body diode, the MOSFET excels under hard commutation conditions, providing reliable operation in various applications including string inverters and EV charging systems. Its impressive specifications, including a continuous drain current of up to 89 A, underscore its capability to handle significant power loads, while its low switching losses contribute to overall system efficiency. This device has been rigorously validated for industrial applications, ensuring adherence to industry standards and reliability.

Operates at high voltage of 2000 V

Very low on state resistance for efficiency

Benchmark gate threshold voltage for performance

Robust operation with well designed body diode

Validated for industrial use via JEDEC testing

Supports optimal thermal performance through design

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง