Infineon Type N-Channel MOSFET, 195 A, 2000 V Enhancement FF5MR20KM1HHPSA1
- RS Stock No.:
- 349-317
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB31,674.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB33,891.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB31,674.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-317
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 2000V | |
| Mount Type | Screw | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 6.15V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V | ||
Mount Type Screw | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 6.15V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
The Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V, 5.2 mΩ G1 in the well known 62mm housing design with M1H chip technology. Also available with pre applied Thermal Interface Material.
High current density
Low switching losses
Superior gate oxide reliability
Robust integrated body diode
High cosmic ray robustness
High speed switching module
Symmetrical module design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement FF5MR20KM1HPHPSA1
- Infineon Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R075M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R100M1HXKSA1
