Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 48 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,699.17

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,818.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,699.17
10 - 99THB1,529.45
100 +THB1,410.21

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-111
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMYH200R050M1HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Series

CoolSiC

Package Type

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

348W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

82nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Infineon CoolSiC Series MOSFET, 2000V Maximum Drain Source Voltage, 48A Maximum Continuous Drain Current - IMYH200R050M1HXKSA1


This MOSFET is a silicon-carbide power transistor designed for high-voltage switching in demanding electrical systems. It operates as an N-channel enhancement device intended for through-hole board mounting and is suited to applications requiring high-temperature tolerance and substantial continuous current handling.

Features and Benefits:


• 2000V drain voltage enables high-voltage switching capability
• 48A continuous drain current supports heavy load operation
• 70mΩ Rds(on) minimises conduction losses during switching
• 82nC typical gate charge allows predictable gate-drive design
• 348W maximum power dissipation manages significant thermal loads
• Through-hole PG-TO-247-4-PLUS-NT14 package simplifies heat-sinking

Applications


• Suitable for high-voltage power converters and inverters
• Ideal for industrial motor drive power stages
• Used with high-voltage capacitor charging circuits
• Can be used for DC-DC conversion in utility equipment
• Suitable for laboratory power electronics evaluation boards

What gate-drive limits must I observe for safe operation?


The gate-source voltage must not exceed 20V

design gate drivers to stay within this threshold including transient suppression.

How does it behave under elevated temperatures?


It is rated to function up to 175°C junction temperature

thermal management should account for the specified maximum power dissipation to prevent thermal runaway.

What mounting considerations are required for thermal control?


The four-pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 through-hole package permits robust mechanical fixation and direct interfacing to a heatsink for efficient heat removal.

Are there constraints on ambient operating range?


The device is specified down to -55°C minimum operating temperature, so designs must accommodate this lower bound for cold-start scenarios.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง