Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 48 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
349-111
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMYH200R050M1HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

82nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

348W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET featuring .XT interconnection technology for enhanced thermal and electrical performance. With a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it offers reliable and efficient switching, making it ideal for high voltage power applications. This MOSFET delivers superior performance, ensuring excellent efficiency and robust operation even in demanding environments.

Very low switching losses

Robust body diode for hard commutation

RoHS compliant

Halogen free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง