Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

RS Stock No.:: 351-915
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB22,409.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23,978.06

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 +	THB22,409.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	375A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	2000V
	Package Type	AG-EASY2B
	Series	F3L6MR
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Forward Voltage Vf	6.15V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	62.8mm
	Width	48 mm
	Height	12.255mm
	Standards/Approvals	IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 375A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V
	Package Type AG-EASY2B
	Series F3L6MR
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Forward Voltage Vf 6.15V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 62.8mm
	Width 48 mm
	Height 12.255mm
	Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749
	Automotive Standard No

Infineon F3L6MR Type N-Channel MOSFET, 375 A, 2000 V Enhancement AG-EASY2B F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง