Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 34 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R075M1HXKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,475.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,578.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 193 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,475.57
10 - 99THB1,328.06
100 +THB1,224.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-113
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IMYH200R075M1HXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

106mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

267W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Infineon CoolSiC Series MOSFET, 34A Maximum Continuous Drain Current, 2000V Maximum Drain Source Voltage - IMYH200R075M1HXKSA1


This MOSFET is a silicon carbide power transistor designed for high-voltage switching in demanding industrial and power-conversion environments. It operates across an extended temperature span and is housed in a multi-lead through-hole package suited to robust assembly and heat management. The device is intended for applications requiring substantial continuous current handling and elevated power dissipation.

Features and Benefits:


• 2000V drain capability enabling very high-voltage switching
• 34A continuous drain current for sustained power delivery
• 267W maximum power dissipation aiding thermal design headroom
• 106mΩ Rds(on) reducing conduction losses in high-current paths
• 64nC typical gate charge for predictable switching energy
• Through-hole PG-TO-247-4-PLUS-NT14 simplifies heatsinking integration

Applications


• Suitable for high-voltage converters and inverters
• Ideal for industrial motor drive power stages
• Used for high-power switch-mode power supplies
• Can be used for renewable-energy power electronics
• Suitable for traction and heavy-duty power modules

What gate voltage limits must designers respect when driving it?


The gate-source rating is ±20V, so gate-drive circuitry should limit excursions within this range to prevent gate-oxide stress.

How does the device cope with harsh thermal environments?


It is specified to function from -55°C up to 175°C, allowing designs to tolerate wide ambient and junction temperature swings.

What pin configuration and mounting approach does it use?


The component comes in a four-lead PG-TO-247-4-PLUS-NT14 through-hole package, enabling secure PCB mounting and direct attachment to heatsinks.

Are there material or environmental restrictions for use?


It is RoHS-compliant, so it conforms to lead-free material requirements for electronic assemblies.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง