Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 34 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R075M1HXKSA1
- RS Stock No.:
- 349-113
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,341.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,435.33
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 230 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,341.43 |
| 10 - 99 | THB1,207.33 |
| 100 + | THB1,113.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-113
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 2000V | |
| Series | CoolSiC | |
| Package Type | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 106mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 267W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V | ||
Series CoolSiC | ||
Package Type PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 106mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 267W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET featuring .XT interconnection technology for enhanced thermal and electrical performance. With a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it offers reliable and efficient switching, making it ideal for high voltage power applications. This MOSFET delivers superior performance, ensuring excellent efficiency and robust operation even in demanding environments.
Very low switching losses
Robust body diode for hard commutation
RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R100M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R060M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R030M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R020M1TXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7 AIMZH120R080M1TXKSA1