Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET, 75 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F411MR12W2M1HB70BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB14,358.86

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15,363.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB14,358.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-249
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F411MR12W2M1HB70BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyPACK

Series

F4-11MR12W2M1H_B70

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

20.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 11 mΩ G1 with NTC, PressFIT contact technology and aluminium nitride ceramic. The MOSFET is designed with best in class packaging featuring a compact 12.25 mm height, optimizing space while maintaining exceptional performance. It incorporates leading edge Wide Bandgap materials, offering superior efficiency and reliability in demanding applications. The module is engineered with very low stray inductance, minimizing power losses and improving overall switching performance.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Better thermal conductivity of DCB material

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง