Infineon FF11MR12W2M1HP_B11 Type N-Channel MOSFET, 75 A, 1200 V Enhancement EasyPACK FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- RS Stock No.:
- 348-976
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB7,789.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,335.06
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB7,789.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-976
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | FF11MR12W2M1HP_B11 | |
| Package Type | EasyPACK | |
| Mount Type | Screw | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 5.35V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series FF11MR12W2M1HP_B11 | ||
Package Type EasyPACK | ||
Mount Type Screw | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 5.35V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is engineered for high performance power applications, offering a best-in-class package with a compact 12 mm height. It leverages leading-edge Wide Bandgap (WBG) material, providing enhanced power efficiency and thermal performance. The module is designed with very low stray inductance, which minimizes power losses and improves switching speed.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FF11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon FS13MR12W2M1H_C55 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Infineon FS13MR12W2M1H_C55 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Infineon F4-17MR12W1M1H_B76 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F417MR12W1M1HB76BPSA1
