Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F417MR12W1M1HPB76BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB8,791.77

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,407.19

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB8,791.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-966
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F417MR12W1M1HPB76BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyPACK

Series

F4-17MR12W1M1HP_B76

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

34.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 17 mΩ G1 with NTC, pre-applied thermal interface material and PressFIT contact technology. This MOSFET is built with best-in-class packaging, featuring a compact 12 mm height for efficient integration. It utilizes leading edge Wide Bandgap materials, which enhance performance and energy efficiency. The design offers very low module stray inductance, reducing power losses and improving switching characteristics. Powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, it provides superior thermal performance and reliability.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง