Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement F411MR12W2M1HPB76BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB12,763.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13,656.52

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 18 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB12,763.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-250
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

F4-11MR12W2M1H_B70

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

23.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

5.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

60749, IEC 60747, 60068

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 11 mΩ G1 with NTC, pre-applied thermal interface material (TIM) and PressFIT contact technology. This MOSFET features best-in-class packaging with a compact 12 mm height, ensuring optimal performance while saving space. It utilizes leading-edge Wide Bandgap materials, enhancing power efficiency and thermal management. The design boasts very low module stray inductance, reducing power losses and improving switching speed.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง