Infineon FF11MR12W2M1H_B70 Type N-Channel MOSFET, 75 A, 1200 V Enhancement EasyPACK FF11MR12W2M1HB70BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB10,629.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB11,374.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB10,629.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-975
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyPACK

Series

FF11MR12W2M1H_B70

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

20.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module combines cutting-edge technology with superior design for high performance power applications. With a best-in-class packaging and a compact 12.25 mm height, it optimizes both space and performance. The module utilizes leading-edge Wide Bandgap (WBG) material, providing enhanced power efficiency, thermal performance, and reliability. Its very low module stray inductance minimizes power losses and improves switching behaviour.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Better thermal conductivity of DCB material

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง