Infineon FS13MR12W2M1H_C55 Type N-Channel MOSFET, 62.5 A, 1200 V Enhancement EasyPACK FS13MR12W2M1HC55BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB15,861.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,971.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB15,861.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-979
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

62.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyPACK

Series

FS13MR12W2M1H_C55

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

21.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 13 mΩ Six-Pack Module integrates CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 technology for high performance power applications. Housed in a best-in-class package with a compact 12 mm height, it delivers optimal space efficiency without sacrificing performance. The module is built with leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, ensuring superior efficiency, thermal performance, and reliability.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Better thermal conductivity of DCB material

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง