Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F433MR12W1M1HB76BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB4,980.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,328.87

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 24 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB4,980.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-968
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F433MR12W1M1HB76BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

F4-17MR12W1M1HP_B76

Package Type

EasyPACK

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

69.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET fourpack module 1200 V, 33 mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. This MOSFET features best-in-class packaging with a compact 12 mm height, enabling efficient space utilization without compromising performance. It incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, ensuring improved efficiency and enhanced power handling capabilities. The design also boasts very low module stray inductance, which reduces power loss and optimizes switching performance.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง