Infineon CoolSiC Trench MOSFET N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement EasyPACK F48MR12W2M1HPB76BPSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB16,035.77

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,158.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB16,035.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-971
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyPACK

Series

CoolSiC Trench MOSFET

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack Module is engineered for high performance power applications, incorporating best-in-class packaging with a compact 12 mm height for efficient space utilization. It features leading edge Wide Bandgap (WBG) material, which enhances power efficiency and thermal performance. With very low module stray inductance, this module minimizes power losses and improves switching speed for more efficient operation.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง