Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 700 A, 30 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH35N03LM5CGSCATMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB349.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB373.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 18THB174.67THB349.34
20 - 198THB157.35THB314.70
200 - 998THB144.98THB289.96
1000 - 1998THB134.59THB269.18
2000 +THB120.485THB240.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-875
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

700A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PG-WHTFN-9

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.35 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Minimized conduction losses

Fast switching

Reduced voltage overshoot

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง