Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 151 A, 150 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD063N15NM5CGSCATMA1

RS Stock No.:: 351-911
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD063N15NM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 151 A, 150 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD063N15NM5CGSCATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB471.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB504.558

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB235.775	THB471.55
20 - 198	THB212.275	THB424.55
200 - 998	THB195.695	THB391.39
1000 - 1998	THB181.595	THB363.19
2000 +	THB162.79	THB325.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 351-911
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD063N15NM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	IQD0
	Package Type	PG-WHTFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.32mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.83V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	5mm
	Width	6 mm
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series IQD0
	Package Type PG-WHTFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.32mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.83V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 5mm
	Width 6 mm
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC
	Automotive Standard No

Datasheet - IQD063N15NM5CGSCATMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 6,32 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Center-Gate footprint is optimized for parallelization. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the over molded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

Cutting edge 150 V silicon technology

Outstanding FOMs

Improved thermal performance

Ultra-low parasitic

Maximized chip or package ratio

Center-Gate footprint

Industry-standard package

Infineon IQD0 Type N-Channel MOSFET, 151 A, 150 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD063N15NM5CGSCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง