Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE030N06NM5CGSCATMA1

RS Stock No.:: 284-758
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE030N06NM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE030N06NM5CGSCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB460.67

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB492.915

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB92.134	THB460.67
50 - 95	THB87.482	THB437.41
100 - 495	THB81.05	THB405.25
500 - 995	THB74.618	THB373.09
1000 +	THB71.846	THB359.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-758
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE030N06NM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PG-WHTFN-9
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PG-WHTFN-9
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE030N06NM5CGSCATMA1

The Infineon MOSFET is a power transistor exemplifies cutting edge technology and performance, designed for efficient operation in demanding applications. Optimised for synchronous rectification, it assures superior thermal management and reliability, making it an Ideal choice for various industrial uses. Built around the OptiMOS 5 platform, it is tailored to operate effectively within a 60V range while maintaining a Compact footprint. Its robust design facilitates efficient switching, ensuring high performance while minimising losses.

Superior thermal resistance for reliability

Pb free plating for environmental compliance

100% avalanche testing for performance assurance

Exceptional gate charge for switching efficiency

Complies with halogen free standards

Ideal for rigorous industrial applications

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE030N06NM5CGSCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง