Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 447 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQDH88N06LM5CGATMA1

RS Stock No.:: 284-945
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQDH88N06LM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 447 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQDH88N06LM5CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB302.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB324.02

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB151.41	THB302.82
20 - 198	THB136.32	THB272.64
200 - 998	THB125.68	THB251.36
1000 - 1998	THB116.53	THB233.06
2000 +	THB104.405	THB208.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-945
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQDH88N06LM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	447A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS
	Package Type	PG-TTFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.86mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	76nC
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, IEC61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 447A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS
	Package Type PG-TTFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.86mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet - IQDH88N06LM5CGATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor is a high performance N channel MOSFET designed to provide exceptional efficiency and reliability for industrial applications. Utilising Advanced semiconductor technology, this component delivers superior thermal management and low on resistance, making it Ideal for power conversion solutions. With its high avalanche energy rating and rigorous validation against JEDEC standards, you can Trust this product to meet stringent operational demands while maintaining safety and durability.

Optimised thermal resistance for cooling

Qualified for industrial reliability

Pb free lead plating for eco friendliness

Low gate drive requirements simplify circuits

Robust design for high drain currents

100% avalanche tested for reliability

Compact package for easy integration

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 447 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQDH88N06LM5CGATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง