Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE050N08NM5CGSCATMA1

RS Stock No.:: 284-771
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE050N08NM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE050N08NM5CGSCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB483.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB517.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB96.686	THB483.43
50 - 95	THB91.836	THB459.18
100 - 495	THB85.108	THB425.54
500 - 995	THB78.278	THB391.39
1000 +	THB75.408	THB377.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-771
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE050N08NM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PG-WHTFN-9
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.0mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PG-WHTFN-9
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.0mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE050N08NM5CGSCATMA1

The Infineon MOSFET features an power transistor is an exemplary choice for applications requiring high efficiency and reliability. Optimised for synchronous rectification, this N channel device is part of the OptiMOS 5 series, renowned for its robust thermal performance and low on resistance. The device operates effectively at voltages of up to 80V, making it suitable for a wide range of industrial applications. With features such as 100% avalanche testing and a Pb free design compliant with RoHS standards, this product embodies both safety and sustainability in its manufacturing process. Its small footprint and high performance manifest in the Advanced design that ensures superior thermal characteristics, presenting an excellent option for designers aiming to improve overall system efficiency.

Optimised for synchronous rectification

N channel for easy circuit integration

Low on resistance reduces power losses

Robust thermal resistance for reliability

Avalanche tested for extreme conditions

Pb free lead plating for safety

Halogen free construction meets IEC standards

Qualified per JEDEC industry standards

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE050N08NM5CGSCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง