Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE046N08LM5CGSCATMA1

RS Stock No.:: 284-765
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE046N08LM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE046N08LM5CGSCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB483.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB517.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

80 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB96.686	THB483.43
50 - 95	THB91.836	THB459.18
100 - 495	THB85.108	THB425.54
500 - 995	THB78.278	THB391.39
1000 +	THB75.408	THB377.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-765
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE046N08LM5CGSCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	OptiMOS
	Package Type	PG-WHTFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series OptiMOS
	Package Type PG-WHTFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE046N08LM5CGSCATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor delivers high efficiency and reliability tailored for demanding applications. With a focus on optimised performance in switch mode power supplies, this N channel MOSFET excels in synchronous rectification tasks. Engineered with Advanced thermal characteristics, it ensures superior heat dissipation alongside ultra low on resistance, enabling effective operation even under strict electrical demands. The component stands out for its extensive validation under JEDEC standards for industrial applications, ensuring peace of mind for professional users. Ideal for industrial power circuits, the transistor incorporates a robust avalanche rating, ensuring resilience during high stress scenarios, making it a smart choice for tomorrow's power management systems.

Optimised for high performance SMPS

Logic level control for low voltage systems

100% avalanche tested for reliability

Halogen free design for environmental responsibility

Pb free lead plating for modern standards

RoHS compliant for safe usage

Superior thermal resistance for durability

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE046N08LM5CGSCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง