Infineon CoolSiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement EasyDUAL FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- RS Stock No.:
- 348-978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB14,362.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15,367.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB14,362.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Package Type | EasyDUAL | |
| Mount Type | Screw | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Forward Voltage Vf | 5.35V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series CoolSiC Trench MOSFET | ||
Package Type EasyDUAL | ||
Mount Type Screw | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Forward Voltage Vf 5.35V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is designed to deliver high performance power solutions with best-in-class packaging, featuring a compact 12 mm height for efficient space utilization. The module incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, providing superior efficiency, reliability, and thermal performance. With very low module stray inductance, it ensures minimized power losses and enhanced switching dynamics. The module is powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, offering improved thermal management and efficiency, making it ideal for demanding power applications.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyPACK F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Infineon CoolSiCTM Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement EasyDUAL FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14
- Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
