Infineon CoolSiC Trench MOSFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement EasyDUAL FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB14,362.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB15,367.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 18 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB14,362.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-978
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

CoolSiC Trench MOSFET

Package Type

EasyDUAL

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is designed to deliver high performance power solutions with best-in-class packaging, featuring a compact 12 mm height for efficient space utilization. The module incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, providing superior efficiency, reliability, and thermal performance. With very low module stray inductance, it ensures minimized power losses and enhanced switching dynamics. The module is powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, offering improved thermal management and efficiency, making it ideal for demanding power applications.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง