Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1

RS Stock No.:: 284-822
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FF17MR12W1M1HB11BPSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB5,953.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,369.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

24 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 +	THB5,953.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-822
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FF17MR12W1M1HB11BPSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	EasyDUAL
	Package Type	AG-EASY1B
	Mount Type	Screw
	Pin Count	23
	Maximum Drain Source Resistance Rds	34.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	23 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.149μC
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Forward Voltage Vf	5.35V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series EasyDUAL
	Package Type AG-EASY1B
	Mount Type Screw
	Pin Count 23
	Maximum Drain Source Resistance Rds 34.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.149μC
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Forward Voltage Vf 5.35V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068
	Automotive Standard No

Datasheet - FF17MR12W1M1HB11BPSA1

The Infineon MOSFET Module represents a significant advancement in power semiconductor technology, designed to meet the rigorous demands of high frequency switching applications. This innovative module incorporates CoolSiC trench MOSFETs, delivering unparalleled efficiency and reliability. With a robust design tailored for industrial applications, it ensures low switching losses and excellent thermal performance. The integrated PressFIT contact technology simplifies installation while maintaining a secure connection. This module is an Ideal choice for applications such as DC/DC converters and UPS systems, revolutionising energy management with its compact, Durable construction.

Low inductive design optimises dynamic performance

Integrated temperature sensor enhances safety

Rugged mounting ensures reliability in demanding environments

Qualified for industrial applications per IEC standards

Ideal for DC charging in electric vehicles

Streamlined installation with PressFIT technology

Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง