Infineon Half Bridge C Series N channel-Channel MOSFET Modules, 185 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin AG-62MMHB

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB21,266.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,755.23

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB21,266.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
762-899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF5MR20KM1HSHPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET Modules

Maximum Continuous Drain Current Id

185A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-62MMHB

Series

C Series

Mount Type

Screw

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.62mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

6.25V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.65μC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

106.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
HU
The Infineon CoolSiC Trench MOSFET half bridge module features voltage rating of 2000 V and supports high current density. It is suitable for UPS systems, DC/DC converter, High-frequency switching application, Solar applications, Energy storage systems (ESS), and DC charger for EV.

Low switching losses

High current density

Qualified for industrial applications

4 kV AC 1 min insulation

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง