Infineon N-Channel MOSFET, 400 A, 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B
- RS Stock No.:
- 250-0222
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 8 ชิ้น)*
THB212,443.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB227,314.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 16 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 8 - 8 | THB26,555.42 | THB212,443.36 |
| 16 - 16 | THB25,227.604 | THB201,820.83 |
| 24 + | THB23,966.219 | THB191,729.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0222
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | AG-EASY3B | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.44mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -10V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type AG-EASY3B | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.44mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -10V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Half bridge CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology.
Low switching losses
High current density
Low inductive design
PressFIT contact technology
Integrated NTC temperature sensor
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Infineon FS55MR12W1M1H_B11 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B
- Infineon IAUZ N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon IAUZ N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon FS55MR12W1M1H_B11 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Infineon Half Bridge XHP 2 N-Channel MOSFET Modules 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
- Infineon 900 A 1200 V Surface
- Infineon 600 A 1200 V Surface