Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- RS Stock No.:
- 284-821
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB103,182.528
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB110,405.304
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 24 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 + | THB4,299.272 | THB103,182.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 284-821
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | EasyDUAL | |
| Package Type | AG-EASY1B | |
| Mount Type | Screw | |
| Pin Count | 23 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 34.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 5.35V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.149μC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series EasyDUAL | ||
Package Type AG-EASY1B | ||
Mount Type Screw | ||
Pin Count 23 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 34.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 5.35V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.149μC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET Module represents a significant advancement in power semiconductor technology, designed to meet the rigorous demands of high frequency switching applications. This innovative module incorporates CoolSiC trench MOSFETs, delivering unparalleled efficiency and reliability. With a robust design tailored for industrial applications, it ensures low switching losses and excellent thermal performance. The integrated PressFIT contact technology simplifies installation while maintaining a secure connection. This module is an Ideal choice for applications such as DC/DC converters and UPS systems, revolutionising energy management with its compact, Durable construction.
Low inductive design optimises dynamic performance
Integrated temperature sensor enhances safety
Rugged mounting ensures reliability in demanding environments
Qualified for industrial applications per IEC standards
Ideal for DC charging in electric vehicles
Streamlined installation with PressFIT technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon EasyDUAL Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 23-Pin AG-EASY1B FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B
- Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY1B FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY3B FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1
