STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*

THB211.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB226.17

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 5,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
10 - 90THB21.137THB211.37
100 - 240THB20.07THB200.70
250 - 490THB18.616THB186.16
500 - 990THB17.113THB171.13
1000 +THB16.483THB164.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-447
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STS1DNC45
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

450V

Package Type

SO-8

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-65°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Standard outline for easy automated surface mount assembly

Gate charge minimized

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง