ROHM SH8KC5 Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8KC5TB1
- RS Stock No.:
- 331-692
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SH8KC5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB174.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB186.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB17.417 | THB174.17 |
| 100 - 240 | THB16.527 | THB165.27 |
| 250 - 490 | THB15.339 | THB153.39 |
| 500 - 990 | THB14.102 | THB141.02 |
| 1000 + | THB13.607 | THB136.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 331-692
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SH8KC5TB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Dual N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SH8KC5 | |
| Package Type | SOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Dual N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SH8KC5 | ||
Package Type SOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a small surface mount package.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM SH8KE5 Dual N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8KE5TB1
- ROHM SH8KB5 Dual N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8KB5TB1
- ROHM SP8K33 Dual N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SOP SP8K33HZGTB
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- ROHM BM2P Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 BM2P139T1F-E2
- Microchip Dual N Channel TD9944 1 Dual N-Channel MOSFET Arrays 240 V Enhancement, 8-Pin SOIC TD9944TG-G
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7341GTRPBF
