Microchip Dual N Channel TD9944 1 Dual N-Channel MOSFET Arrays, 2.8 A, 240 V Enhancement, 8-Pin SOIC TD9944TG-G
- RS Stock No.:
- 598-332
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TD9944TG-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
N
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3300 ชิ้น)*
THB211,896.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB226,729.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3300 + | THB64.211 | THB211,896.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 598-332
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TD9944TG-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | MOSFET Arrays | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 240V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | TD9944 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Certificate of Compliance | |
| Width | 3.9 mm | |
| Height | 1.75mm | |
| Length | 4.9mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type MOSFET Arrays | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 240V | ||
Package Type SOIC | ||
Series TD9944 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Transistor Configuration Dual N Channel | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Certificate of Compliance | ||
Width 3.9 mm | ||
Height 1.75mm | ||
Length 4.9mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip Dual N-Channel enhancement-mode vertical MOSFETs use Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination offers power handling capabilities similar to those of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient characteristic of MOS devices. As with all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown, ensuring reliable performance even in demanding environments.
High input impedance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual DMT47 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT47M2LDV-7
- DiodesZetex Dual DMT47 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SOIC IRF8313TRPBF
- Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
