STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 0.4 A, 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45
- RS Stock No.:
- 151-446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS1DNC45
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB65,110.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB69,667.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB26.044 | THB65,110.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-446
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS1DNC45
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Dual N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 450V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SuperMESH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Dual N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 450V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SuperMESH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
Standard outline for easy automated surface mount assembly
Gate charge minimized
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SuperMESH Dual N-Channel MOSFET 450 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS1DNC45
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Microchip Dual N Channel TD9944 1 Dual N-Channel MOSFET Arrays 240 V Enhancement, 8-Pin SOIC TD9944TG-G
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7341GTRPBF
- ROHM SH8KC5 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8KC5TB1
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon ISA Dual N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 ISA170170N04LMDSXTMA1