Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7341GTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB499.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB534.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 5,890 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 990THB49.989THB499.89
1000 - 1990THB48.739THB487.39
2000 +THB47.989THB479.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
217-2603
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7341GTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Transistor Configuration

Dual N Channel Mosfet

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. The 175°C rating for the SO-8 package provides improved thermal performance with increased safe operating area and dual MOSFET die capability make it ideal in a variety of power applications. This dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce board space and is also available in Tape & Reel.

Advanced Process Technology

Dual N-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง