Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

RS Stock No.:: 258-3881
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S4L11ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB113.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB121.562

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,996 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB56.805	THB113.61
10 - 98	THB50.225	THB100.45
100 - 248	THB40.87	THB81.74
250 - 498	THB33.60	THB67.20
500 +	THB29.27	THB58.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3881
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S4L11ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Dual N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOSTM-T2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	65W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Standards/Approvals	AEC Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Dual N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOSTM-T2
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 65W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Standards/Approvals AEC Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L11ATMA2

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is dual super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size.

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง