Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*

THB23,446.965

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,088.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
15 - 15THB1,563.131THB23,446.97
30 - 30THB1,531.846THB22,977.69
45 +THB1,501.22THB22,518.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP25R12W2T4BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

39 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

175 W

Number of Transistors

7

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง