Infineon IGBT Module 1200 V
- RS Stock No.:
- 244-5392
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 15 ชิ้น)*
THB23,446.965
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,088.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB1,563.131 | THB23,446.97 |
| 30 - 30 | THB1,531.846 | THB22,977.69 |
| 45 + | THB1,501.22 | THB22,518.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5392
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175W | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.25V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 51mm | |
| Series | FP25R12W2T4B | |
| Width | 42.5 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175W | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 51mm | ||
Series FP25R12W2T4B | ||
Width 42.5 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 12mm | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
- Semikron Danfoss SEMITOP SiC Power Module 1200 V SEMITOP 3 SK45MAHT12SCp
- Infineon FP10R12W1T7B11BOMA1 IGBT Module, 10 A 1200 V EASY1B
- Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module
- Infineon FF450R07ME4B11BPSA1 IGBT Module Panel Mount
- Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V EconoPIM
- Infineon FP50R12KT4PBPSA1 IGBT Module, 50 A 1200 V EASY2B
