Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

RS Stock No.:: 244-5392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP25R12W2T4BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (15 ชิ้น, ในถาดขนาด 15)*

THB23,446.97

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,088.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
15 - 15	THB1,563.131	THB23,446.97
30 - 30	THB1,531.846	THB22,977.69
45 +	THB1,501.22	THB22,518.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP25R12W2T4BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	175W
	Number of Transistors	7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	42.5mm
	Series	FP25R12W2T4B
	Length	51mm
	Height	12mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 175W
	Number of Transistors 7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 42.5mm
	Series FP25R12W2T4B
	Length 51mm
	Height 12mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP25R12W2T4BOMA1

Infineon FP25R12W2T4B Series IGBT Module, 1200V Collector-Emitter Voltage, 175W Power Dissipation - FP25R12W2T4BOMA1

This IGBT module is a power semiconductor device designed to switch and control high-voltage DC and AC loads in industrial applications. It combines multiple switching elements into a single Compact package to manage significant power dissipation while operating across a wide ambient temperature range.

Features and Benefits:

• 1200V collector-emitter rating for high-voltage switching capability
• 175W maximum power dissipation to handle elevated thermal loads
• Vce(sat) 2.25V for reduced conduction losses during on-state
• Gate-emitter withstand of 20V to protect control inputs
• Seven-transistor configuration to support complex switching arrangements
• Operable from -40 to 150°C for wide thermal headroom

Applications

• Suitable for traction inverter stages in power conversion systems
• Ideal for industrial motor controllers requiring high-voltage devices
• Used with medium-voltage UPS and power backup systems
• Can be used for welding power supplies needing robust switches
• Used for renewable energy inverters handling elevated DC voltages

What maximum junction temperature can the device tolerate?

The maximum operating temperature specified is 150°C.

How many switching elements are integrated in the package?

The module contains seven transistors integrated into a single unit.

What certification or environmental standard is noted for material compliance?

The unit meets RoHS requirements indicating restricted hazardous substances compliance.

What physical footprint should be allowed for PCB or heatsink layout?

The module measures 42.5 mm in width, 51 mm in length and 12 mm in height.