Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB57,315.97

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB61,328.09

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB5,731.597THB57,315.97
20 - 20THB5,616.953THB56,169.53
30 +THB5,504.637THB55,046.37

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5403
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS150R12KT3BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation

700 W

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง