Infineon IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
244-5403
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FS150R12KT3BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

200A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Number of Transistors

6

Package Type

EconoPACKTM3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Series

FS150R12KT3

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA

Temperature under switching conditions 125° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.40 nF

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง