Infineon FZ900R12KE4HOSA1 IGBT Module, 900 A 1200 V

RS Stock No.:: 244-5886
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FZ900R12KE4HOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FZ900R12KE4HOSA1 IGBT Module, 900 A 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB54,383.23

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB58,190.06

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
10 - 10	THB5,438.323	THB54,383.23
20 - 20	THB5,329.569	THB53,295.69
30 +	THB5,222.987	THB52,229.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5886
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FZ900R12KE4HOSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	900A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	4300W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	UL approved(E83335)
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 900A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 4300W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals UL approved(E83335)
	Automotive Standard No

Datasheet - FZ900R12KE4HOSA1

Infineon IGBT Module, 1200V Max Collector Emitter Voltage, 900A Max Continuous Collector Current - FZ900R12KE4HOSA1

This IGBT module is a high-voltage switching device designed for demanding power-conversion tasks in industrial environments. It provides robust switching at elevated temperatures and supports heavy continuous currents, making it suitable for applications requiring substantial power handling and thermal endurance.

Features and Benefits:

• 1200 V maximum collector-emitter rating enables high-voltage switching capability
• 900 A continuous collector current supports sustained high-current operation
• 4300 W maximum power dissipation allows intensive power handling
• 2.1 V collector-emitter saturation reduces conduction losses
• 20 V maximum gate-emitter rating ensures controlled gate-drive margins
• Operates from −40 °C up to 150 °C for wide thermal-range performance

Applications

• Suitable for high-power industrial 1200 V converters and inverters
• Ideal for traction drives requiring a 900 A power-transistor module
• Used with power supplies needing low-saturation-voltage switching
• Can be used for motor drives operating across wide temperatures
• Appropriate for heavy-duty DC-DC conversion in industrial systems

What safety or approvals does it carry for industrial use?

It is UL listed under approval E83335, which confirms third-party electrical-safety assessment.

What gate voltage limitations must be observed during driving?

The gate-emitter voltage must not exceed 20 V to prevent device damage.

How does thermal range affect deployment locations?

The part continues to function from −40 °C to 150 °C, allowing placement in both cold-start and high-temperature enclosures.

What is the significance of its power-dissipation rating?

The 4300 W dissipation indicates the maximum thermal energy it can handle under specified cooling conditions and informs cooling-system design.