Infineon IGBT Module 1200 V EconoPIM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB47,084.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50,380.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB4,708.415THB47,084.15
20 - 20THB4,614.249THB46,142.49
30 +THB4,521.95THB45,219.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5851
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP75R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Package Type

EconoPIM

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

62.5 mm

Length

122mm

Height

17mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

FP75R12KT4B

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง