Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM
- RS Stock No.:
- 244-5851
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12KT4BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, ในถาดขนาด 10)*
THB47,084.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50,380.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB4,708.415 | THB47,084.15 |
| 20 - 20 | THB4,614.249 | THB46,142.49 |
| 30 + | THB4,521.95 | THB45,219.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5851
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP75R12KT4BOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 385W | |
| Package Type | EconoPIM | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | FP75R12KT4B | |
| Width | 62.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 122mm | |
| Height | 17mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 385W | ||
Package Type EconoPIM | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series FP75R12KT4B | ||
Width 62.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 122mm | ||
Height 17mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon FP75R12KT4B Series IGBT Module, 385W Maximum Power Dissipation, 1200V Maximum Collector Emitter Voltage - FP75R12KT4BOSA1
This IGBT module is a power semiconductor assembly designed to switch and control high-voltage DC in industrial converters and motor drives. It is supplied in a Compact EconoPIM package intended for integration into power electronic systems and operates across a broad thermal range suitable for demanding environments.
Features and Benefits:
• 1200 V blocking capability for high-voltage switching applications
• 385 W dissipation rating to handle substantial power loss
• 2.15 V VCE(sat) reduces conduction losses during on-state
• 20 V gate-emitter tolerance for robust gate-drive margins
• Seven-transistor configuration enables multi-switch topologies
• RoHS-compliant construction for regulated material requirements
• 385 W dissipation rating to handle substantial power loss
• 2.15 V VCE(sat) reduces conduction losses during on-state
• 20 V gate-emitter tolerance for robust gate-drive margins
• Seven-transistor configuration enables multi-switch topologies
• RoHS-compliant construction for regulated material requirements
Applications
• Suitable for high-voltage industrial motor drives
• Used with three-phase inverter assemblies in factories
• Ideal for high-power DC-DC conversion modules
• Can be used for medium-voltage traction power electronics
• Used for power supplies requiring multiple switching elements
• Used with three-phase inverter assemblies in factories
• Ideal for high-power DC-DC conversion modules
• Can be used for medium-voltage traction power electronics
• Used for power supplies requiring multiple switching elements
What temperature extremes can the device withstand during operation?
It is rated to function from −40 °C up to a maximum operating temperature of 150 °C.
How many switching elements are integrated within the package?
The module contains seven transistors for multi-leg or parallel switching arrangements.
What are the physical envelope measurements for mounting considerations?
The package measures 122 mm in length, 62.5 mm in width and 17 mm in height.
Does the module meet material restriction requirements for manufacturing?
It conforms to RoHS standards restricting certain hazardous substances.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 1200 V EconoPIM
- Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM
- Infineon FP75R12KT3BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM
- Infineon IGBT Module 1200 V
- Infineon IGBT Module, 900 A 1200 V
- Infineon IGBT Module, 150 A 1200 V
- Infineon IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3
- Infineon IGBT Module, 900 A 1200 V PrimePACKTM2
